JVAM-1型非自耗电弧炉
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产品详情
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产品描述
参数
1、设备用途: 采用电子束一步蒸发法用于制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜
2.技术数据:
基片尺寸 | 1100mm×1400mm | 基片加热温度 | 300℃ |
工作真空度 | 6.7×10-4Pa |
2.1镀膜模式进片室+清洗室+镀膜室+缓冲室+出片室
2.2镀膜室EB蒸发源三个
2.3 EB蒸发源挡板三个
2.4膜厚修正机构二套
2.5控制方式PID可编程控,全自动
3.技术型号:JCIGS-1型
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