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离子束溅射及刻蚀设备

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离子束溅射及刻蚀设备
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产品描述
参数

1.设备用途：本设备为双室立式结构的超高真空对靶磁控溅射及离子束溅射镀膜系统。设备用于各种金属薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、超晶格薄膜、集成光学薄膜、多层薄膜和薄膜器件的制备；

2.技术数据：

真空室尺寸 Ф560×400mm 基片旋转速度 0-30rpm可调
极限真空度（分子泵系统） ≤5×10-5Pa；短时间暴露大气开始抽气至3×10-4 Pa的时间小于2h。停泵关机12小时后，溅射室真空度≤1Pa
永磁靶组件 三套永磁折靶，用于共溅射或单独溅射 基片尺寸 50×50


2.1立式真空室，双层水冷；
2.2真空室真空获得系统，分子泵+机械泵+高真空气动挡板阀；
2.3加热温度PID控制（RT-500ºC），加热炉与基片间用石英玻璃隔开防止污染；
2.4触摸屏+PLC控制镀膜系统；
2.5采用四路MFC质量流量计控制器进气；

3.技术规格：HPVD-1型

 

 

 

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等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）

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